1、 對外延基區(qū)雙極技術(shù)，硼硅玻璃自對準雙極技術(shù)等進行了詳細的分析和敘述。

2、 實踐說明，該法優(yōu)于原長基區(qū)電阻率法。

3、 研究了為提高基區(qū)少子壽命而進行磷吸收的機理。

4、 而由于淺能級雜質(zhì)的陷阱效應(yīng)，低溫下基區(qū)和發(fā)射區(qū)渡越時間變長，截止頻率下降。

5、 介紹了非對稱型門極換流晶閘管的p基區(qū)結(jié)構(gòu)。

6、 采用多晶硅發(fā)射區(qū)和基區(qū)重摻雜技術(shù)，獲得了可與cmos結(jié)構(gòu)兼容，基區(qū)電阻較小的硅低溫雙極晶體管。

7、 準平面和低基區(qū)電阻是該設(shè)計的主要特點。

8、 為減小基區(qū)電阻和防止低溫載流子凍析，可增加基區(qū)濃度。

9、 注入，如果有必要通過延伸npn的基區(qū)到隔離槽形成保護環(huán)。

10、 在對器件基區(qū)中光生電流分布規(guī)律進行理論分析的基礎(chǔ)上，得出硅雙結(jié)型色敏器件中摻雜濃度和兩個結(jié)的結(jié)深是影響光譜響應(yīng)范圍的主要因素。

11、 無論npn型還是pnp型管，三極管內(nèi)部均有三個區(qū)、即發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)，三個區(qū)形成兩個pn結(jié)。

12、 擴展電阻的測試結(jié)果顯示出注入的p離子基本上集中在集電區(qū)的位置，對發(fā)射區(qū)和基區(qū)未造成顯著影響。

13、 計算結(jié)果表明，發(fā)射區(qū)載流子壽命的變化幾乎不影響注入到基區(qū)的電子電流，但卻成反比例地影響基區(qū)空穴電流。

14、 市政府秘書長，市政府研究室、市住建局、市水務(wù)局、市交通局、市農(nóng)委以及富拉爾基區(qū)、鐵鋒區(qū)、富?？h主要領(lǐng)導(dǎo)陪同調(diào)研。

15、 人民網(wǎng)齊齊哈爾2月17日電(記者袁泉)記者從齊齊哈爾市獲悉，今天上午富拉爾基區(qū)北鋼醫(yī)院發(fā)生一起故意報復(fù)殺害醫(yī)生案件。